Mio_RIE
Beim Reaktiven Ionenätzen wird mittels Hochfrequenz in einem Vakuum über ein Ätzgas ein Plasma zwischen zwei Elektroden gezündet.
Das dem Plasma ausgesetzte Substrat wird durch Ionenbeschuss sowie, je nach Ätzgas, durch chemische Reaktionen geätzt.
www.ise.fraunhofer.deThe webs of the etching mask produced by interference lithography have not yet been removed here.
In reactive ion etching, plasma is ignited between two electrodes by a high frequency through an etching gas under a vacuum.
The substrate exposed to the plasma is etched by ion bombardment and, depending on the etching gas, by chemical reactions.
www.ise.fraunhofer.deDas dem Plasma ausgesetzte Substrat wird durch Ionenbeschuss sowie, je nach Ätzgas, durch chemische Reaktionen geätzt.
Es kann auch eine chemische Reaktion des Substrats mit dem Ätzgas stattfinden.
www.ise.fraunhofer.deThe substrate exposed to the plasma is etched by ion bombardment and, depending on the etching gas, by chemical reactions.
A chemical reaction may also proceed between the substrate and the etching gas.
www.ise.fraunhofer.deBeim Reaktiven Ionenätzen wird mittels Hochfrequenz in einem Vakuum über ein Ätzgas ein Plasma zwischen zwei Elektroden gezündet.
Das dem Plasma ausgesetzte Substrat wird durch Ionenbeschuss sowie, je nach Ätzgas, durch chemische Reaktionen geätzt.
Es kann auch eine chemische Reaktion des Substrats mit dem Ätzgas stattfinden.
www.ise.fraunhofer.deIn reactive ion etching, plasma is ignited between two electrodes by a high frequency through an etching gas under a vacuum.
The substrate exposed to the plasma is etched by ion bombardment and, depending on the etching gas, by chemical reactions.
A chemical reaction may also proceed between the substrate and the etching gas.
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